Różnica między implantacją a dyfuzją jonów

Implantacja i dyfuzja jonów to dwie techniki stosowane w produkcji półprzewodników z innymi materiałami. Główną różnicą między implantacją a dyfuzją jonów jest to, że implantacja jonów jest izotropowa i bardzo kierunkowa, podczas gdy dyfuzja jest izotropowa i występuje dyfuzja boczna.

1. Dlaczego implantacja jonowa jest preferowana nad dyfuzją?
2. Co oznacza implantacja jonów?
3. Jakie są zalety stosowania procesu implantacji jonów?
4. Dlaczego po implantacji jonów wymagane jest wyżarzanie?
5. Czym jest implantacja jonów w półprzewodniku?
6. Co to jest wyżarzanie przy implantacji jonów?
7. Co to jest kanałowanie jonów?
8. Co to jest hartowanie płomieni i implantacja jonów?
9. Co zawiera źródło jonów?

Dlaczego implantacja jonowa jest preferowana nad dyfuzją?

Widzieliśmy, jak domieszki były wprowadzane do wafla za pomocą dyfuzji („osadzanie wstępne” i „wbijanie”). Implantacja jonów jest preferowana, ponieważ: -kontrolowana, można wprowadzić małą lub wysoką dawkę (1011 - 1018 cm-2) -głębokość implantu może być kontrolowana. Używany od 1980 roku pomimo uszkodzenia podłoża; niska przepustowość i koszt.

Co oznacza implantacja jonów?

Implantacja jonów to proces obróbki powierzchni, w którym jony azotu lub węgla są przyspieszane i penetrują powierzchnię elementu w celu nadania odporności na zużycie. ... Stosując to podejście, wiązkę jonów o wysokiej energii (od 50 do 200 kV) można skierować na powierzchnię elementu.

Jakie są zalety stosowania procesu implantacji jonów?

Zalety implantacji jonów obejmują możliwość wszczepienia praktycznie dowolnego gatunku jonów do dowolnego podłoża z wysokim poziomem kontroli lokalizacji (bocznej i głębokości) i składu.
...
Wprowadzenie.

Dlaczego po implantacji jonów wymagane jest wyżarzanie?

Podczas implantacji wszczepione domieszki są bombardowane w krzem, co prowadzi do powstania punktowych defektów w sieci. ... Warunki wyżarzania mają duży wpływ na wszczepiane jonowo ogniwa słoneczne, ponieważ kontrolują one aktywację i profil dyfuzji domieszek wszczepianych jonowo.

Czym jest implantacja jonów w półprzewodniku?

Implantacja jonów jest procesem niskotemperaturowym, w którym jony jednego pierwiastka są przyspieszane do postaci stałego celu, zmieniając w ten sposób właściwości fizyczne, chemiczne lub elektryczne celu. Implantacja jonów znajduje zastosowanie przy produkcji urządzeń półprzewodnikowych oraz przy wykańczaniu metali, a także w badaniach materiałoznawstwa.

Co to jest wyżarzanie przy implantacji jonów?

Wyżarzanie z uszkodzeniem implantu jonowego. Wyżarzanie po implantacji jonów. Implantacja jonowa to proces osadzania domieszek chemicznych w podłożu poprzez bezpośrednie bombardowanie podłoża wysokoenergetycznymi jonami osadzanej substancji chemicznej.

Co to jest kanałowanie jonów?

Wpływ sieci krystalicznej na trajektorie jonów wnikających do kryształu jest znany jako channeling - termin, który wizualizuje rzędy i płaszczyzny atomów jako przewodników kierujących energiczne jony wzdłuż kanałów między rzędami i płaszczyznami.

Co to jest hartowanie płomieniowe i implantacja jonów?

Hartowanie indukcyjne polega na wykorzystaniu indukowanych prądów elektrycznych do bardzo szybkiego wytwarzania ciepła poprzez histerezę, zwykle w elemencie obrabianym wykonanym ze stali średnio- lub wysokowęglowej. Hartowanie płomieniowe wykorzystuje palniki tlenowo-paliwowe do podgrzewania przedmiotu obrabianego przez przewodzenie.

Co zawiera źródło jonów?

Źródło jonów to urządzenie, które tworzy jony atomowe i molekularne. Źródła jonów są wykorzystywane do tworzenia jonów w spektrometrach mas, optycznych spektrometrach emisyjnych, akceleratorach cząstek, implantatorach jonów i silnikach jonowych.